rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GY1600D364L8/4GDC. Отзывы о GoodRAM GY1600D364L8/4GDC.
bg

GoodRAM GY1600D364L8/4GDC отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GY1600D364L8/4GDC

Описание GoodRAM GY1600D364L8/4GDC: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 8; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 29;...



Добавить отзыв о GoodRAM GY1600D364L8/4GDC
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-1866C9D-16GXM
G.SKILL F3-1866C9D-16GXM Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
GoodRAM GR1333D364L9/1G
GoodRAM GR1333D364L9/1G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; CAS Latency (CL): 9;...


bg