rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GY1600D364L8/2G. Отзывы о GoodRAM GY1600D364L8/2G.
bg

GoodRAM GY1600D364L8/2G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GY1600D364L8/2G

Описание GoodRAM GY1600D364L8/2G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 8; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 29;...



Добавить отзыв о GoodRAM GY1600D364L8/2G
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Crucial CT51264BD160B
Crucial CT51264BD160B Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11;...
Kingston KHX16S9P1K2/16
Kingston KHX16S9P1K2/16 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (C...


bg