rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR800S364L6/2G. Отзывы о GoodRAM GR800S364L6/2G.
bg

GoodRAM GR800S364L6/2G отзывы.


Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR800S364L6/2G

Описание GoodRAM GR800S364L6/2G: Тип: DDR3; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество контактов: 204; Количество модулей: 1; Количество ранков: 2; Тактовая частота: 800 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 6; tRCD: 6; tRP: 6; tRAS: 15; Напряжение питания: 1.5 В; Количество: 16; Упаковка: двусторонняя;...




Добавить отзыв о GoodRAM GR800S364L6/2G
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


G.SKILL F3-16000CL6D-4GBPIS
G.SKILL F3-16000CL6D-4GBPIS Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 2000 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофил...
Lenovo 49Y1434
Lenovo 49Y1434 Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Количество ранков: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: да; Буферизованная (Register...


bg