rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR800S264L5/4G. Отзывы о GoodRAM GR800S264L5/4G.
bg

GoodRAM GR800S264L5/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR800S264L5/4G

Описание GoodRAM GR800S264L5/4G: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 18;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR800S264L5/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

AMD R332G1339U1S-UGO
AMD R332G1339U1S-UGO Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Del...
Transcend TS1GDL5068
Transcend TS1GDL5068 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 4;...


bg