rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR800D264L6/4G. Отзывы о GoodRAM GR800D264L6/4G.
bg

GoodRAM GR800D264L6/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR800D264L6/4G

Описание GoodRAM GR800D264L6/4G: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 6; RAS to CAS Delay (tRCD): 6; Row Precharge Delay (tRP): 6; Activate to Precharge Delay (tRAS): 18;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR800D264L6/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM W-MEM1333R3D48G
GoodRAM W-MEM1333R3D48G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Количество ранков: 2; Радиатор: есть; CAS ...
Kingston KVR16R11D8/4
Kingston KVR16R11D8/4 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряж...


bg