rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR400S64L3/1G. Отзывы о GoodRAM GR400S64L3/1G.
bg

GoodRAM GR400S64L3/1G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR400S64L3/1G

Описание GoodRAM GR400S64L3/1G: Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 2.6 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 3;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR400S64L3/1G
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP008GBSTU133N02
Silicon Power SP008GBSTU133N02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS D...
G.SKILL F3-1600C11S-8GIS
G.SKILL F3-1600C11S-8GIS Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 1...


bg