rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR333S64L25/1G. Отзывы о GoodRAM GR333S64L25/1G.
bg

GoodRAM GR333S64L25/1G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR333S64L25/1G

Описание GoodRAM GR333S64L25/1G: Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 2.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 2.5;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR333S64L25/1G
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP004GBLTU160N01
Silicon Power SP004GBLTU160N01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; CAS Latency (...
G.SKILL F3-1600C11D-16GIS
G.SKILL F3-1600C11D-16GIS Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...


bg