rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR2666S464L19S/8G. Отзывы о GoodRAM GR2666S464L19S/8G.
bg

GoodRAM GR2666S464L19S/8G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR2666S464L19S/8G

Описание GoodRAM GR2666S464L19S/8G: Тип: DDR4; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей: 1; Количество контактов: 260; Тактовая частота: 2 666 МГц; Пропускная способность: 21 300 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; Поддержка XMP: нет; Игровая: нет; CL: 19; Напряжение питания: 1.2 В;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR2666S464L19S/8G
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

HyperX HX430C15PB3AK2/16
HyperX HX430C15PB3AK2/16 Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей: 2; Количество контактов: 288; Количество рангов: 1; Тактовая частота: 3 000 МГц; Пропускная способность: 24 000 Мб/с; Подде...
Patriot Memory PVS48G266C8S
Patriot Memory PVS48G266C8S Тип: DDR4; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей: 1; Количество контактов: 260; Тактовая частота: 2 666 МГц; Пропускная способность: 21 300 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфер...


bg