rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR2400S464L17S/4G. Отзывы о GoodRAM GR2400S464L17S/4G.
bg

GoodRAM GR2400S464L17S/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR2400S464L17S/4G

Описание GoodRAM GR2400S464L17S/4G: Тип: DDR4; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 260; Количество модулей: 1; Количество ранков: 1; Тактовая частота: 2 400 МГц; Пропускная способность: 19 200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 17; Напряжение питания: 1.2 В;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR2400S464L17S/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GR2133S464L15S/8G
GoodRAM GR2133S464L15S/8G Тип: DDR4; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество контактов: 260; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2 133 МГц; Пропускная способность: 17 000 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфер...
GoodRAM GR2400S464L17S/8G
GoodRAM GR2400S464L17S/8G Тип: DDR4; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество контактов: 260; Количество модулей: 1; Количество ранков: 1; Тактовая частота: 2 400 МГц; Пропускная способность: 19 200 Мб/с; Под...


bg