rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1600S3V64L11S/4G. Отзывы о GoodRAM GR1600S3V64L11S/4G.
bg

GoodRAM GR1600S3V64L11S/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1600S3V64L11S/4G

Описание GoodRAM GR1600S3V64L11S/4G: Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR1600S3V64L11S/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Team Group TED3L8G1600C11DC-S01
Team Group TED3L8G1600C11DC-S01 Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to...
GoodRAM GYB1866D364L10/8G
GoodRAM GYB1866D364L10/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 1...


bg