rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1600S3V64L11/4G. Отзывы о GoodRAM GR1600S3V64L11/4G.
bg

GoodRAM GR1600S3V64L11/4G отзывы.


Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1600S3V64L11/4G

Описание GoodRAM GR1600S3V64L11/4G: Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11;...




Добавить отзыв о GoodRAM GR1600S3V64L11/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


GoodRAM GR667D264L5/1G
GoodRAM GR667D264L5/1G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; CAS Latency (CL): 5;...
Kingston KVR13LR9S4/8
Kingston KVR13LR9S4/8 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряж...


bg