rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1600S3V64L11/2G. Отзывы о GoodRAM GR1600S3V64L11/2G.
bg

GoodRAM GR1600S3V64L11/2G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1600S3V64L11/2G

Описание GoodRAM GR1600S3V64L11/2G: Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR1600S3V64L11/2G
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM W-MEM1600E38GG
GoodRAM W-MEM1600E38GG Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 8 Гб;...
GoodRAM GR2133D464L15S/8GDC
GoodRAM GR2133D464L15S/8GDC Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; CAS Latency (CL): 15;...


bg