rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1600S364L11S/4G. Отзывы о GoodRAM GR1600S364L11S/4G.
bg

GoodRAM GR1600S364L11S/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1600S364L11S/4G

Описание GoodRAM GR1600S364L11S/4G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR1600S364L11S/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM W-AMM674G
GoodRAM W-AMM674G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Совместимость: MacBook, MacBook Pro...
AMD R744G2400U1S
AMD R744G2400U1S Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 1...


bg