rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1600S364L11/2G. Отзывы о GoodRAM GR1600S364L11/2G.
bg

GoodRAM GR1600S364L11/2G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1600S364L11/2G

Описание GoodRAM GR1600S364L11/2G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR1600S364L11/2G
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston HX316C9SR/8
Kingston HX316C9SR/8 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чи...
GoodRAM GR1600S3V64L11/4G
GoodRAM GR1600S3V64L11/4G Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11;...


bg