rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1600D3V64L11/4G. Отзывы о GoodRAM GR1600D3V64L11/4G.
bg

GoodRAM GR1600D3V64L11/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1600D3V64L11/4G

Описание GoodRAM GR1600D3V64L11/4G: Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR1600D3V64L11/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston HX316LS9IBK2/16
Kingston HX316LS9IBK2/16 Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количе...
Kingston 12 GB (3x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K3/12GX)
Kingston 12 GB (3x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K3/12GX) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем памяти: 3 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого...


bg