rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1600D364L11/2G. Отзывы о GoodRAM GR1600D364L11/2G.
bg

GoodRAM GR1600D364L11/2G отзывы.


Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1600D364L11/2G

Описание GoodRAM GR1600D364L11/2G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...




Добавить отзыв о GoodRAM GR1600D364L11/2G
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


GoodRAM GR1333S364L9/4G
GoodRAM GR1333S364L9/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество ...
G.SKILL F3-14900CL9D-8GBXL
G.SKILL F3-14900CL9D-8GBXL Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...


bg