rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1333S364L9S/4G. Отзывы о GoodRAM GR1333S364L9S/4G.
bg

GoodRAM GR1333S364L9S/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1333S364L9S/4G

Описание GoodRAM GR1333S364L9S/4G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR1333S364L9S/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

AMD R748G2400U2S
AMD R748G2400U2S Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 1...
Kingston HX324C11SR/8
Kingston HX324C11SR/8 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 2; Количество ч...


bg