rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1333S364L9/8G. Отзывы о GoodRAM GR1333S364L9/8G.
bg

GoodRAM GR1333S364L9/8G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1333S364L9/8G

Описание GoodRAM GR1333S364L9/8G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR1333S364L9/8G
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR1333D3S8N9/2G
Kingston KVR1333D3S8N9/2G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...
Team Group TED32G1333C9-S01
Team Group TED32G1333C9-S01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10660 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS D...


bg