rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1333S364L9/4G. Отзывы о GoodRAM GR1333S364L9/4G.
bg

GoodRAM GR1333S364L9/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1333S364L9/4G

Описание GoodRAM GR1333S364L9/4G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR1333S364L9/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-14900CL9D-8GBXL
G.SKILL F3-14900CL9D-8GBXL Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
GoodRAM GYS1600D364L10/8G
GoodRAM GYS1600D364L10/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10;...


bg