rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1333S364L9/1G. Отзывы о GoodRAM GR1333S364L9/1G.
bg

GoodRAM GR1333S364L9/1G отзывы.


Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1333S364L9/1G

Описание GoodRAM GR1333S364L9/1G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...




Добавить отзыв о GoodRAM GR1333S364L9/1G
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Kingston KVR16S11S8/4
Kingston KVR16S11S8/4 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество ...
Corsair CMY8GX3M2A2400C11R
Corsair CMY8GX3M2A2400C11R Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg