rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1333D364L9S/4G. Отзывы о GoodRAM GR1333D364L9S/4G.
bg

GoodRAM GR1333D364L9S/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1333D364L9S/4G

Описание GoodRAM GR1333D364L9S/4G: Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Количество ранков: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 9; Напряжение питания: 1.5 В;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR1333D364L9S/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung DDR3 1333 DIMM 8Gb
Samsung DDR3 1333 DIMM 8Gb Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизов...
Kingston KVR13S9K2/16
Kingston KVR13S9K2/16 Тип: DDR3; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество контактов: 204; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфериз...


bg