rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GR1333D364L9/4G. Отзывы о GoodRAM GR1333D364L9/4G.
bg

GoodRAM GR1333D364L9/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GR1333D364L9/4G

Описание GoodRAM GR1333D364L9/4G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...



Добавить отзыв о GoodRAM GR1333D364L9/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KTA-MP1333/8G
Kingston KTA-MP1333/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Совместимость: Apple Mac Pro;...
Kingston KTA-MB1333/8G
Kingston KTA-MB1333/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Совместимость: Apple MacBook Pro;...


bg