rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GP2133D364L10AS/4G. Отзывы о GoodRAM GP2133D364L10AS/4G.
bg

GoodRAM GP2133D364L10AS/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GP2133D364L10AS/4G

Описание GoodRAM GP2133D364L10AS/4G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8 односторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30;...



Добавить отзыв о GoodRAM GP2133D364L10AS/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Dell 370-22463
Dell 370-22463 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 16 Гб; Колич...
Kingston KVR13LE9S8/4
Kingston KVR13LE9S8/4 Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Количество р...


bg