rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GL2400D364L11/8GDC. Отзывы о GoodRAM GL2400D364L11/8GDC.
bg

GoodRAM GL2400D364L11/8GDC отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GL2400D364L11/8GDC

Описание GoodRAM GL2400D364L11/8GDC: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35;...



Добавить отзыв о GoodRAM GL2400D364L11/8GDC
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

AMD R538G1601S2S-UGO
AMD R538G1601S2S-UGO Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS ...
Dell 370-23370
Dell 370-23370 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 16 Гб; Колич...


bg