rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GL2400D364L11/8G. Отзывы о GoodRAM GL2400D364L11/8G.
bg

GoodRAM GL2400D364L11/8G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GL2400D364L11/8G

Описание GoodRAM GL2400D364L11/8G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35;...



Добавить отзыв о GoodRAM GL2400D364L11/8G
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-2400C11Q-32GZM
G.SKILL F3-2400C11Q-32GZM Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
G.SKILL F3-2400C11Q-32GSR
G.SKILL F3-2400C11Q-32GSR Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg