rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GL2400D364L11/4G. Отзывы о GoodRAM GL2400D364L11/4G.
bg

GoodRAM GL2400D364L11/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GL2400D364L11/4G

Описание GoodRAM GL2400D364L11/4G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35;...



Добавить отзыв о GoodRAM GL2400D364L11/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GL2133D364L10A/8G
GoodRAM GL2133D364L10A/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD):...
OCZ 2G8002GK
OCZ 2G8002GK Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем памяти: 2 модуля по 1 Гб; Напряжение питания: 2.1 В; Радиатор: есть; CAS Latency...


bg