rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GL2400D364L11/16GDC. Отзывы о GoodRAM GL2400D364L11/16GDC.
bg

GoodRAM GL2400D364L11/16GDC отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GL2400D364L11/16GDC

Описание GoodRAM GL2400D364L11/16GDC: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35;...



Добавить отзыв о GoodRAM GL2400D364L11/16GDC
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GL1866D364L9A/8GDC
GoodRAM GL1866D364L9A/8GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD...
GoodRAM GL1600D364L9/8GDC
GoodRAM GL1600D364L9/8GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD...


bg