rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GL2133D364L10A/4G. Отзывы о GoodRAM GL2133D364L10A/4G.
bg

GoodRAM GL2133D364L10A/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GL2133D364L10A/4G

Описание GoodRAM GL2133D364L10A/4G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30;...



Добавить отзыв о GoodRAM GL2133D364L10A/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GL1600D364L10/8G
GoodRAM GL1600D364L10/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD):...
GoodRAM GL2133D364L10A/8GDC
GoodRAM GL2133D364L10A/8GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRC...


bg