rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GOODRAM 2GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/2G). Отзывы о GOODRAM 2GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/2G).
bg

GOODRAM 2GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/2G) отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GOODRAM 2GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/2G)

Описание GOODRAM 2GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/2G): Набор: нет; Объем: 2 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Число микросхем: 8; Ёмкость микросхем: 2 Гбит; Тип микросхем: 256Mx8; Профили XMP: нет; Профили AMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о GOODRAM 2GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/2G)
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GOODRAM 4GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/4G)
GOODRAM 4GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/4G) Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Число микросхем: 16; Ёмкость микросхем: 2...
GOODRAM 8GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/8G)
GOODRAM 8GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/8G) Набор: нет; Объем: 8 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Число микросхем: 16; Ёмкость микросхем: 4...


bg