rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL FA-1600C11S-4GSQ. Отзывы о G.SKILL FA-1600C11S-4GSQ.
bg

G.SKILL FA-1600C11S-4GSQ отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL FA-1600C11S-4GSQ

Описание G.SKILL FA-1600C11S-4GSQ: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Совместимость: MacBook Pro 2012; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL FA-1600C11S-4GSQ
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Geil GPB38GB2133C11DC
Geil GPB38GB2133C11DC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
Kingston KHX16C10P1K2/16
Kingston KHX16C10P1K2/16 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество...


bg