rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F4-3600C18D-16GTZR. Отзывы о G.SKILL F4-3600C18D-16GTZR.
bg

G.SKILL F4-3600C18D-16GTZR отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F4-3600C18D-16GTZR

Описание G.SKILL F4-3600C18D-16GTZR: Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей: 2; Количество контактов: 288; Тактовая частота: 3 600 МГц; Пропускная способность: 28 800 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: да; Поддержка XMP: да; Игровая: да; CL: 18; tRCD: 22; tRP: 22; tRAS: 42; Напряжение питания: 1.35 В;...



Добавить отзыв о G.SKILL F4-3600C18D-16GTZR
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Ballistix BL16G36C16U4R
Ballistix BL16G36C16U4R Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество модулей: 1; Количество контактов: 288; Тактовая частота: 3 600 МГц; Пропускная способность: 28 800 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфери...
Samsung M393A1K43DB1-CVF
Samsung M393A1K43DB1-CVF Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей: 1; Количество контактов: 288; Тактовая частота: 2 933 МГц; Пропускная способность: 23 400 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизо...


bg