rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F4-3200C16Q-16GRKD. Отзывы о G.SKILL F4-3200C16Q-16GRKD.
bg

G.SKILL F4-3200C16Q-16GRKD отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F4-3200C16Q-16GRKD

Описание G.SKILL F4-3200C16Q-16GRKD: Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 3200 МГц; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; Дополнительная информация: два вентилятора в комплекте; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36;...



Добавить отзыв о G.SKILL F4-3200C16Q-16GRKD
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung DDR2 667 DIMM 1Gb
Samsung DDR2 667 DIMM 1Gb Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay...
Samsung DDR2 667 DIMM 512Mb
Samsung DDR2 667 DIMM 512Mb Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб;...


bg