rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F4-2800C16Q-16GRR. Отзывы о G.SKILL F4-2800C16Q-16GRR.
bg

G.SKILL F4-2800C16Q-16GRR отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F4-2800C16Q-16GRR

Описание G.SKILL F4-2800C16Q-16GRR: Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 2800 МГц; Пропускная способность: 22400 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36;...



Добавить отзыв о G.SKILL F4-2800C16Q-16GRR
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GP2133D364L10A/16GDC
GoodRAM GP2133D364L10A/16GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 2; Количеств...
GoodRAM GP2133D364L10AS/8GDC
GoodRAM GP2133D364L10AS/8GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 1; Количеств...


bg