rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2666C12D-16GTXD. Отзывы о G.SKILL F3-2666C12D-16GTXD.
bg

G.SKILL F3-2666C12D-16GTXD отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2666C12D-16GTXD

Описание G.SKILL F3-2666C12D-16GTXD: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2666 МГц; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 12; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2666C12D-16GTXD
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-2400C10D-16GTX
G.SKILL F3-2400C10D-16GTX Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
Kingston KVR800D2S6/1G
Kingston KVR800D2S6/1G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 16 дв...


bg