rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2666C11Q-16GZHD. Отзывы о G.SKILL F3-2666C11Q-16GZHD.
bg

G.SKILL F3-2666C11Q-16GZHD отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2666C11Q-16GZHD

Описание G.SKILL F3-2666C11Q-16GZHD: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2666 МГц; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2666C11Q-16GZHD
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-2933C12Q-16GTXDG
G.SKILL F3-2933C12Q-16GTXDG Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2933 МГц; Пропускная способность: 23400 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
G.SKILL F3-1600C9S-4GSL
G.SKILL F3-1600C9S-4GSL Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS...


bg