rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2666C11Q-16GTXD. Отзывы о G.SKILL F3-2666C11Q-16GTXD.
bg

G.SKILL F3-2666C11Q-16GTXD отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2666C11Q-16GTXD

Описание G.SKILL F3-2666C11Q-16GTXD: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2666 МГц; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2666C11Q-16GTXD
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Patriot Memory PSD38G13332
Patriot Memory PSD38G13332 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; CAS Latency (...
Patriot Memory PSD38G16002S
Patriot Memory PSD38G16002S Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; CAS Latency...


bg