rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2666C11D-16GTXD. Отзывы о G.SKILL F3-2666C11D-16GTXD.
bg

G.SKILL F3-2666C11D-16GTXD отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2666C11D-16GTXD

Описание G.SKILL F3-2666C11D-16GTXD: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2666 МГц; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2666C11D-16GTXD
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-1333C9Q-16GAO
G.SKILL F3-1333C9Q-16GAO Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
Crucial BLT4G3D1608DT2TXRGCEU
Crucial BLT4G3D1608DT2TXRGCEU Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 8...


bg