rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2666C10Q-16GTXD. Отзывы о G.SKILL F3-2666C10Q-16GTXD.
bg

G.SKILL F3-2666C10Q-16GTXD отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2666C10Q-16GTXD

Описание G.SKILL F3-2666C10Q-16GTXD: Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: да; CL: 10; tRCD: 12; tRP: 12; tRAS: 31; Напряжение питания: 1.65 В;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2666C10Q-16GTXD
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Team Group TED31GM1333C9-S01
Team Group TED31GM1333C9-S01 Тип: DDR3; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 1 Гб; Количество контактов: 204; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10660 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфериз...
Team Group TED38GM1333C9DC-S01
Team Group TED38GM1333C9DC-S01 Тип: DDR3; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 204; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10660 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфериз...


bg