rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2400C11Q-32GSR. Отзывы о G.SKILL F3-2400C11Q-32GSR.
bg

G.SKILL F3-2400C11Q-32GSR отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2400C11Q-32GSR

Описание G.SKILL F3-2400C11Q-32GSR: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2400C11Q-32GSR
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Geil 2 GB DDR3 1333 MHz (GVP32GB1333C9SC)
Geil 2 GB DDR3 1333 MHz (GVP32GB1333C9SC) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10660 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...
OCZ 2P8002GK
OCZ 2P8002GK Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем памяти: 2 модуля по 1 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 4; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 4; Activate to Precharge...


bg