rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2400C11Q-32GAB. Отзывы о G.SKILL F3-2400C11Q-32GAB.
bg

G.SKILL F3-2400C11Q-32GAB отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2400C11Q-32GAB

Описание G.SKILL F3-2400C11Q-32GAB: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2400C11Q-32GAB
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Team Group TED3L2G1600C11-S01
Team Group TED3L2G1600C11-S01 Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CA...
AMD R334G1339S1S-UO
AMD R334G1339S1S-UO Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб;...


bg