rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2400C11D-8GSR. Отзывы о G.SKILL F3-2400C11D-8GSR.
bg

G.SKILL F3-2400C11D-8GSR отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2400C11D-8GSR

Описание G.SKILL F3-2400C11D-8GSR: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2400C11D-8GSR
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR400D4R3A/2G
Kingston KVR400D4R3A/2G Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 2; Напряжение п...
Geil GD34GB1333C9SC
Geil GD34GB1333C9SC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Del...


bg