rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2400C11D-8GAB. Отзывы о G.SKILL F3-2400C11D-8GAB.
bg

G.SKILL F3-2400C11D-8GAB отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2400C11D-8GAB

Описание G.SKILL F3-2400C11D-8GAB: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2400C11D-8GAB
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR16R11S4/4
Kingston KVR16R11S4/4 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряж...
GoodRAM GY1600D364L10/8G
GoodRAM GY1600D364L10/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10;...


bg