rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2400C11D-16GXM. Отзывы о G.SKILL F3-2400C11D-16GXM.
bg

G.SKILL F3-2400C11D-16GXM отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2400C11D-16GXM

Описание G.SKILL F3-2400C11D-16GXM: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2400C11D-16GXM
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GY1600D364L9/4G
GoodRAM GY1600D364L9/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9;...
G.SKILL F3-2133C9D-8GAB
G.SKILL F3-2133C9D-8GAB Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg