rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2400C11D-16GSR. Отзывы о G.SKILL F3-2400C11D-16GSR.
bg

G.SKILL F3-2400C11D-16GSR отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2400C11D-16GSR

Описание G.SKILL F3-2400C11D-16GSR: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2400C11D-16GSR
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 2Gb
Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 2Gb Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tR...
Kingston KVR13N9S8/2
Kingston KVR13N9S8/2 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Del...


bg