rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2400C11D-16GAB. Отзывы о G.SKILL F3-2400C11D-16GAB.
bg

G.SKILL F3-2400C11D-16GAB отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2400C11D-16GAB

Описание G.SKILL F3-2400C11D-16GAB: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2400C11D-16GAB
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KHX1866C11S3P1K2/8G
Kingston KHX1866C11S3P1K2/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (C...
Kingston KTA-MB667K2/4G
Kingston KTA-MB667K2/4G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2; Совместимость с ПК: Apple Macintosh mini;...


bg