rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2400C10Q-16GZH. Отзывы о G.SKILL F3-2400C10Q-16GZH.
bg

G.SKILL F3-2400C10Q-16GZH отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2400C10Q-16GZH

Описание G.SKILL F3-2400C10Q-16GZH: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 12; Row Precharge Delay (tRP): 12; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2400C10Q-16GZH
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Mushkin 991306
Mushkin 991306 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжение питания: 2.5 В; CAS Latency (CL): 3; RAS to CAS De...
HP 398707-051
HP 398707-051 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем памяти: 1 модуль 2 Гб;...


bg