rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2400C10D-8GTX. Отзывы о G.SKILL F3-2400C10D-8GTX.
bg

G.SKILL F3-2400C10D-8GTX отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2400C10D-8GTX

Описание G.SKILL F3-2400C10D-8GTX: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 12; Row Precharge Delay (tRP): 12; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2400C10D-8GTX
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GR1333S364L9/1G
GoodRAM GR1333S364L9/1G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...
Kingston KVR16S11S8/4
Kingston KVR16S11S8/4 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество ...


bg