rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2133C11D-16GZL. Отзывы о G.SKILL F3-2133C11D-16GZL.
bg

G.SKILL F3-2133C11D-16GZL отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2133C11D-16GZL

Описание G.SKILL F3-2133C11D-16GZL: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2133C11D-16GZL
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GR800D264L6/2G
GoodRAM GR800D264L6/2G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.8 В; Количество ранков: 2; Количество чипов к...
GoodRAM GR800S264L6/2G
GoodRAM GR800S264L6/2G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.8 В; Количество ранков: 2; Количество чипов...


bg