rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2133C11D-16GXL. Отзывы о G.SKILL F3-2133C11D-16GXL.
bg

G.SKILL F3-2133C11D-16GXL отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2133C11D-16GXL

Описание G.SKILL F3-2133C11D-16GXL: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2133C11D-16GXL
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KHX1600C9D3B1K2/8GX
Kingston KHX1600C9D3B1K2/8GX Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля...
GoodRAM GR1600D3V64L11/4G
GoodRAM GR1600D3V64L11/4G Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11;...


bg