rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2133C10Q-32GSR. Отзывы о G.SKILL F3-2133C10Q-32GSR.
bg

G.SKILL F3-2133C10Q-32GSR отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2133C10Q-32GSR

Описание G.SKILL F3-2133C10Q-32GSR: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 12; Row Precharge Delay (tRP): 12; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2133C10Q-32GSR
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-1600C9D-8GAO
G.SKILL F3-1600C9D-8GAO Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
AMD AE34G1601U1-UO
AMD AE34G1601U1-UO Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS De...


bg